出处： pconline

　　一家中国台湾研究机构称，它将在三年内推出相变内存(PRAM)，另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术(磁性随机储存)也将在2008年底进入实用阶段。

　　与六家中国台湾芯片制造商合作的工业技术研究院(ITRI)在两年前开始开发相变内存技术。到目前为止，该合作集团已经得到了相关新技术的50项专利，并生产了芯片原型，同时还完成了晶圆切割。ITRI与芯片制造商的合作关系将在明年6月结束，但有可能再次结成新的合作。

　　PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。

　　全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。其它芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有Intel、IBM、Qimonda、意法半导体、Hynix和Ovonyx。

　　台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术(MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。